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深圳市宗天技术开发有限公司
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营业执照:已审核
经营模式:IC代理
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IC产品 | 元器件产品
  • 序号
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  • 产品信息
  • 71
  • 名称:ADI原装正品 ADBMS1818ASWAZ-RL 电池管理芯片
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:功能 最多可测量18个串联电池 3 mV最大总测量误差 适用于高压系统的可堆叠架构 内置isoSPI接口 1Mb隔离串行通信 使用单个双绞线,最长可达100米 低EMI敏感性和发射 双向断线保护 290μs,用于测量系统中的所有细胞 同步电压和电流测量 带可编程三阶噪声滤波器的16位Δ-∑
    更新:2023-09-08 11:51:29
  • 72
  • 名称:ADI原装正品 LTC1867AIGN 16位模数转换器 车规级芯片 汽车用料
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:特性应用程序工业过程控制高速数据采集电池操作系统多路数据采集系统成像系统 AEC-Q100具备汽车应用资格采样率:200ksps 16位无缺失代码和±2LSB最大INL 8通道多路复用器,带:单端或差分输入和单极或双极转换模式 SPI/MICROWIRE串行I/O信噪比:89dB单个5V操作片上或外部参考低功率:200ksps时1.3mA,100ksps时0
    更新:2023-09-08 11:51:27
  • 73
  • 名称:ST原装正品 STH13N120K5-2AG MOS管 N 通道 晶体管车规级 AEC-Q101 汽车用料
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明: STH13N120K5-2AG AEC-Q101合格?业界最低的RDS(on)x区域?业界最好的FoM(绩效指标)?超低栅极电荷?100%雪崩测试?齐纳保护应用程序切换应用描述: 这种非常高电压的N沟道功率MOSFET是使用MDmesh K5设计的基于创新专有垂直结构的技术。结果是应用中导通电阻和超低栅极电荷的显著降低需要优越的功率密度和高效率。
    更新:2023-09-08 11:51:29
  • 76
  • 名称:VISHAY/威世 原装正品 SIR662DP-T1-GE3 晶体管 MOS场效应管 PAKSO-8
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:特性?TrenchFET?功率MOSFET?100%Rg和UIS测试?低Qg实现高效率应用程序?一次侧开关?波尔?同步整流器?DC/DC转换器?娱乐系统?工业?LED背光用于开关应用的MOSFET现在有1米左右的压模电阻? 并且有能力手柄85A.虽然这些模具功能代表了一个主要它比几年前的技术进步了功率MOSFET封装技术保持重要地位速度应该很明显封装的性能模具是不希望的。PowerPAK公司是一种
    更新:2023-09-08 11:51:31
  • 77
  • 名称:ALLEGRO原装正品 A4910KJPTR-T 电机驱动无刷直流BLDC电机驱动芯片
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:A4910KJPTR-T 电机驱动无刷直流BLDC电机驱动芯片马达/运动/点火控制器和驱动器功能和优点?用于N沟道MOSFET的大电流三相栅极驱动?三相电流感应放大器?SPI兼容串行或直接并行控制?交叉传导保护?可编程死区时间?用于100%PWM的停止充电泵?未承诺的缓冲放大器?5.5至50 V电源电压范围?CMOS输入,3.3至5 V逻辑电源?广泛的诊断输出?低电流睡眠模式说明A4910是用于N
    更新:2023-09-08 11:51:33
  • 78
  • 名称:NEXPERIA/安世原装现货 PSMN013-100YSEX 晶体管 MOS管
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:1.概述LFPAK56封装中的标准级N沟道MOSFET可达到175°C。的一部分Nexperia的“NextPowerLive”产品组合PSMN013-100YSE补充了最新的“热插拔”控制器——足够坚固,能够承受转弯时的大量涌入电流开启,同时提供低RDS(开启)特性以保持温度低和效率继续使用。非常适合基于48V背板的电信系统/供应轨。2.特点和优点?增强正向偏置安全操作区域,实现卓越的线性模式操
    更新:2023-09-08 11:51:32
  • 79
  • 名称:INFINEON/英飞凌 AIKQ200N75CP2 晶体管 IGBT 沟道 车规级AEC-Q101模块
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:TO247PLUS封装中的EDT2 IGBT和发射极控制二极管特点?VCE=750伏?IC=200 A?同类最佳最高功率密度,IC=200 A?750 V集电极-发射极阻断电压能力?适用于470 V VDC系统,并增加400 V VDC系统的过电压裕度?极低VCE(sat),1.30 V,ICnom=200 A,25°C?在VCE=470 V、VGE=15 V时,短路鲁棒性tsc=5μs?短路条件
    更新:2024-01-02 14:43:00
  • 80
  • 名称:INFINEON/英飞凌 TLF35584QVVS1 电源 汽车应用 稳压器 IC
    类别:eof
    市场价:
    本站价:
    说明:特点?高效电源管理集成电路(PMIC)?用于宽输入电压范围的串行升压和降压预调节器从3.0到40 V,具有全性能和较低的总体功率损耗?用于通信电源(QCO)的5.0 V/200 mA低压降后置调节器?低压降调节器5.0 V/600 mA(TLF35584QxVS1)或3.3 V/600 mA(TLF35584QxVS2),用于μC电源(QUC)?ADC电源参考电压5.0 V±1%,150 mA电流
    更新:2023-10-08 15:56:18
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